CUW70是一种常见的铜钨合金，属于一种金属基复合材料。它结合了钨的高熔点、高硬度和铜的优良导电导热性。以下是其详细的成分、性能及应用介绍。
CUW70表示钨（W）的质量分数约为70%，其余主要为铜（Cu），并可能含有微量的其他元素以改善工艺性能。
主要成分：
钨（W）： 70% ± 2% （这是其命名的来源，也是主要的性能支撑相）
铜（Cu）： 约30% （作为粘结相，填充钨骨架的空隙）
微量/杂质元素： 可能包含极微量的镍（Ni）、铁（Fe）等，主要用于改善铜液对钨的浸润性，便于烧结成型。
核心结构： 它不是一种固溶体合金，而是通过粉末冶金方法制成的“假合金”。在微观结构上，高熔点的钨颗粒相互连接形成坚硬的骨架，铜相则均匀地填充在钨骨架的孔隙中。这种结构是其独特性能的基础。
CUW70的性能完美体现了钨和铜的优势互补：
物理与机械性能：
高硬度与耐磨性： 钨骨架提供了极高的硬度（通常HV > 220）和出色的耐磨性，远高于纯铜或普通铜合金。
良好的导电与导热性： 虽然不及纯铜，但由于连续的铜相存在，其导电和导热性能远优于纯钨，且显著高于许多其他触点材料（如银基材料）。电导率通常在 40-50% IACS 左右。
高强度和一定的韧性： 抗压强度很高，能承受较大的压力。同时，铜相赋予材料一定的韧性，避免像纯陶瓷材料那样脆。
低的热膨胀系数： 钨的加入大幅降低了材料的热膨胀系数，使其与陶瓷、硅片等材料的热匹配性更好。
高熔点与抗烧蚀性： 继承了钨的高熔点特性，在高温电弧作用下不易熔化、变形或挥发，质量损失小。
关键功能性能：
优异的抗电弧侵蚀性（最重要特性之一）：
耐电弧烧蚀： 在开闭电弧作用下，钨骨架因其高熔点、高沸点而保持稳定，铜相则吸收热量并通过蒸发带走热量，从而保护触点主体。
抗熔焊性： 接触点即使在高温下也不易发生熔融粘连，保证了开关的分断可靠性。
低截流值： 在断开小电流时，电弧容易熄灭，能有效抑制操作过电压。
在真空或保护气氛下的性能稳定： 广泛用于真空开关，因为铜和钨在高温下不会产生气体，能保持真空度。
性能指标 | 典型值/范围 | 说明 |
密度 | 约 13.8 ~ 14.0 g/cm³ | 介于纯铜（8.96）和纯钨（19.3）之间 |
硬度 | ≥ 220 HB | 具体值取决于工艺，烧结态或后续处理状态 |
导电率 | 42 ~ 50 % IACS | 国际退火铜标准百分率 |
热导率 | 180 ~ 200 W/(m·K) | 约为纯铜的一半，但散热能力仍然优异 |
抗弯强度 | ≥ 700 MPa | 具有较高的机械强度 |
热膨胀系数 | ~ 8.5 × 10⁻⁶ /K | （20-400℃）接近硅、陶瓷，热匹配性好 |
软化温度 | > 900 ℃ | 远高于纯铜，高温下能保持形状和性能 |
基于以上性能，CUW70主要用于对抗电弧、耐磨损、高导电导热有苛刻要求的场合：
电接触材料（核心应用）：
中高压断路器、负荷开关、接触器的触头（触点）。
真空开关管（真空灭弧室）的触头材料。 这是其最重要的应用之一。
继电器、点焊电极、火花塞电极。
散热与封装材料：
大功率微波器件、激光二极管、功率模块的散热基板（热沉）。 因其高导热和低热膨胀系数，能与芯片材料（如GaAs、SiC）良好匹配。
半导体封装部件。
电极与加工材料：
电火花加工（EDM）电极，用于精密模具加工，其损耗小，加工精度高。
电阻焊电极，特别是焊接高强钢、镀层板时，抗粘附、耐磨。
其他特殊用途：
军工领域，如穿甲弹弹芯材料。
配重、平衡部件（利用其高密度）。
制造工艺： 几乎全部采用粉末冶金法（混粉-压制-烧结-熔渗或直接烧结）制备，无法通过熔铸获得。
加工性： 材料很硬，机械加工困难，通常使用金刚石刀具或磨削加工，成本较高。
焊接： 焊接性较差，通常采用钎焊或特种焊接工艺与其它部件连接。
CUW70是一种以钨为骨架（70%）、铜为粘结相（30%）的高性能粉末冶金复合材料。 其最大优点是将钨的耐高温、耐电弧烧蚀、高硬度与铜的优良导电导热性有机结合，使其成为中高压电接触材料、真空触头和特殊散热器件的关键材料。在选择时，需要权衡其优异的性能与较高的成本和加工难度。
